Изучение электронно-дырочного перехода в полупроводниках ЭиМ-М-Л15
Лабораторная установка "Изучение электронно-дырочного перехода в полупроводниках" ЭиМ-М-Л15
Под заказ
Вся продукция, представленная на сайте, является интеллектуальной собственностью ООО «А-Практикум» и защищена в соответствии с действующим законодательством РФ. За незаконное использование объектов авторского права виновное лицо может быть привлечено к уголовной ответственности (ст. 146 УК РФ).
Производитель оставляет за собой право вносить изменения, не ухудшающие качество изделия, без предварительного уведомления.
Состав комплекта
Описание
Лабораторная установка "Изучение электронно-дырочного перехода в полупроводниках" предназначена для построения вольт-амперной характеристики полупроводникового диода и определения контактной разности потенциалов невырожденного p-n-перехода.
Необходимые источники сигналов и измерительные приборы входят в состав установки.
Характеристики
|
Реализация
|
Аппаратный |
|
Исполнение
|
Настольное |
Задать вопрос